Докладчик
Описание
Двумерные (2D) кристаллы дихалькогенидов переходных металлов (ДПМ) вызвали значительный интерес благодаря их большому потенциалу новых применений, а также в фундаментальных исследованиях [1-3]. Особенно многообещающими в электронике и оптоэлектронике являются монослои полупроводниковых ДПМ, таких как MoS2, благодаря их необычной электростатической связи, большой подвижности носителей тока, высокой пропускной способности по току и сильному поглощению на видимых частотах, химическая и механическая прочность. Сильная спин-орбитальная связь и уникальная кристаллическая симметрия этих материалов приводят к сочетанию степеней свободы спина и долины, что может быть использовано при разработке новых устройств.
В этой работе мы вычисляем собственную дрейфовую подвижность электронов и дырок 2D дихалькогенида молибдена, используя линеаризованное уравнение Больцмана в приближении времени релаксации. В настоящей работе расчеты учитывают электрон-фононные взаимодействия описывающие амплитуды рассеяния от начального блоховского состояния электрона до конечного состояния посредством испускания или поглощения фонона. Чтобы сделать задачу решаемой, нужно проводить вычисление электрон-фононного матричного элемента на грубых сетках с помощью современных методов теории возмущений функционала плотности (DFPT), за которым следует интерполяция Фурье на эти ультраплотные сетки. Полученные значения ясно указывают на возможность использования двумерных ДПМ для термоэлектрических приложений и необходимость фундаментальных и сравнительных исследований свойств решеточного теплового переноса этих однослойных материалов из-за прямой связи между теплопроводностью и добротностью термоэлектрических характеристик.