24–26 июн. 2026 г.
ИКФИА СО РАН
Часовой пояс Asia/Yakutsk
Регистрация и подача тезисов продлены до 14 июня 2026 г.

Оценка скорости ионизации в ионосфере во время солнечных вспышек X-класса

26 июн. 2026 г., 12:15
15 м
200 (ИКФИА СО РАН)

200

ИКФИА СО РАН

г. Якутск, пр-т Ленина, д. 31
Устный очный доклад Молодежные доклады

Докладчик

Вера Лобанова (ИДГ РАН)

Описание

Вспышки на Солнце сопровождаются значительным нарастанием потоков ионизирующего излучения, которое приводит к резкому увеличению электронной концентрации в ионосфере Земли. Такое изменение электронного содержания, в свою очередь, может приводить к сбоям в работе систем навигации и связи. Таким образом, оценка динамики электронной концентрации является актуальной задачей при разработке различных технических систем. В настоящей работе приводятся оценки скорости ионизации, полученные по данным эмпирических моделей NRLMSISE-00 [1] (вертикальные профили концентрации нейтральных газов в атмосфере) и FISM2 Flare [2] (данные об интенсивности ионизирующего излучения во время солнечных вспышек). Верификация оценок проведена с помощью значений полного электронного содержания, полученных по сигналам GPS, которые были приняты в геофизической обсерватории "Михнево" [3]. Хорошая согласованность представленных оценок и экспериментальных данных свидетельствует о справедливости предложенного подхода к оценке скорости ионизации в ионосфере.
Работа выполнена в рамках государственного задания Министерства науки и высшего образования РФ (№ 122032900175-6).

  1. Picone J.M. et al. NRLMSISE-00 empirical model of the atmosphere: Statistical comparisons and scientific issues // Journal of Geophysical Research. 2002. V. 107. P. 1468.
  2. Chamberlin P.C. et al. The flare irradiance spectral model-version 2 (FISM2) // Space Weather. 2020. V. 18. P. e2020SW002588.
  3. Кочарян Г.Г. и др. Уникальная научная установка «Среднеширотный комплекс геофизических наблюдений «Михнево» // Геодинамика и тектонофизика. 2022. Т.13. №2. С. 0590.

Автор

Соавторы

Материалы презентаций

Нет материалов.